退火条件对FeSiCoB薄膜应力阻抗效应的影响

• 作者: 张万里 彭斌 杨国宁 蒋洪川 谌贵辉
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 电子技术 磁弹性薄膜 多层膜 应力阻抗 磁控溅射 退火处理
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 5-7
• 页数: 3页
• 分类号: TB303|TG156.2
• 字数: 1924字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2005.05.002

摘要

为了提高FeCoSiB薄膜和FeCoSiB/Cu/FeCoSiB多层膜的磁弹性能,利用磁控溅射方法在玻璃基片上沉积制备薄膜样品,并在真空中退火.测试了不同温度退火后,薄膜样品的应力阻抗效应.结果表明,退火处理条件对薄膜的应力阻抗效应有较大的影响.在6.4kA·m-1磁场下,薄膜经300℃、40min退火处理后,单层FeCoSiB和多层FeCoSiB/Cu/FeCoSiB的应力阻抗效应分别为1.86%和8.30%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋洪川	电子科技大学微电子与固体电子学院	74	586	12.0	19.0
2	张万里	电子科技大学微电子与固体电子学院	142	705	13.0	17.0
3	彭斌	电子科技大学微电子与固体电子学院	87	638	12.0	21.0
4	杨国宁	电子科技大学微电子与固体电子学院	6	46	3.0	6.0