半绝缘砷化镓单晶中碳微区分布的研究

• 作者: 刘彩池 唐蕾 徐岳生 杨新荣 王海云 覃道志 魏欣
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 半绝缘砷化镓 胞状位错 碳受主
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 1904-1908
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 3135字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.04.079

摘要

通过AB腐蚀(由Abrahams和Buiocchi发明的腐蚀方法,简称AB腐蚀)、KOH腐蚀,经金相显微镜观察、透射电子显微镜能谱分析、电子探针x射线微区分析,对液封直拉法生长的非掺半绝缘砷化镓单晶中碳的微区分布进行了分析研究.实验结果表明,碳的微区分布受单晶中高密度位错网络结构的影响.高密度位错区,位错形成较小的胞状结构,且胞内不存在孤立位错,碳在单个胞内呈U型分布;较低密度位错区,胞状结构直径较大,且胞内存在孤立位错,碳在单个胞内呈W型分布.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘彩池	河北工业大学信息功能材料研究所	63	305	11.0	14.0
2	徐岳生	河北工业大学信息功能材料研究所	21	163	7.0	12.0
3	王海云	河北工业大学信息功能材料研究所	16	86	5.0	8.0
4	唐蕾	河北工业大学信息功能材料研究所	5	37	3.0	5.0
5	魏欣	河北工业大学信息功能材料研究所	6	18	2.0	4.0
6	杨新荣	河北工业大学信息功能材料研究所	2	4	1.0	2.0