化学水浴沉积CdS薄膜晶相结构及性质

• 作者: 何青 刘芳芳 孙云 孙国忠 敖建平 李凤岩 李薇 薛玉明 黄磊
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 化学水浴沉积 CdS CIGS太阳电池
• 年，卷（期）: 2005,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1347-1352
• 页数: 6页
• 分类号: TN305
• 字数: 3804字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.07.012

摘要

采用CBD法在醋酸镉溶液体系中制备CdS半导体薄膜,研究了溶液组份的浓度对CdS结晶结构的影响.增加乙酸胺的浓度、提高溶液的pH值有利于生成立方晶CdS,反之则易于生成六方晶CdS.无论立方相还是六方相CdS薄膜,电阻率均在104～105Ω·cm范围,结晶均匀细致.用六方晶为主和立方晶为主的CdS制备的CIGS太阳电池最高效率分别达到12.10%和12.17%.