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新型压电晶体Sr3 Ga2 Ge4 O14的性能表征
新型压电晶体Sr3 Ga2 Ge4 O14的性能表征
作者:
周娟
徐家跃
武安华
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
Sr3Ga2Ge4O14
压电晶体
热膨胀系数
透过光谱
摘要:
采用坩埚下降法以及坩埚密封技术,成功生长了直径50mm的新型压电晶体Sr3Ga2Ge4O14.测试了晶体的晶格常数、热膨胀系数、密度、硬度和透过光谱等基本物理性能.测试结果表明:晶体热膨胀系数明显小于石英晶体,而且α11和α33相对比较接近,有利于该晶体用作声表面波用基片材料.在250~2500nm波段范围内,其透过率均大于80%,优于相同结构的La3Ga5SiO14晶体,是一种潜在的激光基质晶体材料.
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相关文献总数
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文献信息
篇名
新型压电晶体Sr3 Ga2 Ge4 O14的性能表征
来源期刊
人工晶体学报
学科
物理学
关键词
Sr3Ga2Ge4O14
压电晶体
热膨胀系数
透过光谱
年,卷(期)
2005,(2)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
224-228
页数
5页
分类号
O782
字数
2936字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1000-985X.2005.02.007
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
武安华
中国科学院上海硅酸盐研究所
26
110
7.0
9.0
2
周娟
中国科学院上海硅酸盐研究所
12
71
4.0
8.0
3
徐家跃
中国科学院上海硅酸盐研究所
47
396
12.0
17.0
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被引次数趋势
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参考文献(2)
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参考文献(0)
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引证文献(0)
二级引证文献(0)
2009(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
Sr3Ga2Ge4O14
压电晶体
热膨胀系数
透过光谱
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
人工晶体学报
主办单位:
中材人工晶体研究院有限公司
出版周期:
月刊
ISSN:
1000-985X
CN:
11-2637/O7
开本:
16开
出版地:
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
邮发代号:
创刊时间:
1972
语种:
chi
出版文献量(篇)
7423
总下载数(次)
16
总被引数(次)
38029
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人工晶体学报1998
人工晶体学报2005年第6期
人工晶体学报2005年第5期
人工晶体学报2005年第4期
人工晶体学报2005年第3期
人工晶体学报2005年第2期
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