GaAs基GaAsSb/GaInAs双层量子阱的发光

• 作者: 孙征 屈玉华 徐晓华 江德生 牛智川 边历峰
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 量子阱 光致发光 GaAsSb/GaInAs
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 507-512
• 页数: 6页
• 分类号: O472.3|O482.31
• 字数: 3285字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2005.04.018

摘要

嵌入GaAs中的GaAsSb/GaInAs量子阱因其在1.3～1.5 μm光通信波段发光的潜力而受到关注,我们研究了一系列MBE生长的GaAsSb/GaInAs量子阱样品的光致发光,发现所有样品在室温下都出现了一个较强的、波长在1.3 μm附近的低能峰和一个较弱的高能峰.变温及变激发功率的荧光谱测量研究发现,高能峰只有在150 K以上的测试条件下才能观测到,并且其相对强度随着温度的升高而增加,其调制光谱显示出第一类跃迁的特征.他们建立了理论模型,计算的结果支持将这一发光峰指派为GaInAs层内电子的基态与重空穴激发态间的跃迁,并与实验数据吻合得很好.同时初步讨论了改善1.3μm的低能峰发光的方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	江德生	中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室	14	36	3.0	5.0
2	边历峰	中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室	11	119	7.0	10.0
3	孙征	中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室	5	62	3.0	5.0
4	牛智川	中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室	45	124	5.0	8.0
5	徐晓华	中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室	2	2	1.0	1.0
6	屈玉华	中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室	2	1	1.0	1.0