屏蔽槽SOI高压器件新结构和耐压机理

• 作者: 唐新伟 张波 李肇基 罗小蓉 郭宇锋
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 屏蔽槽 自适应界面电荷 调制 纵向电场 击穿电压EEACC:2560B 2560P
• 年，卷（期）: 2005,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 2154-2158
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 3124字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.11.021

摘要

提出具有屏蔽槽的SOI高压器件新结构和自适应界面电荷耐压模型.该结构在屏蔽槽内产生跟随漏极电压变化的界面电荷,此电荷使埋层介质的纵向电场增加,同时使顶层硅的纵向电场降低,并对表面电场进行调制,因此屏蔽了高电场对顶层硅的影响.借助二维器件仿真研究器件耐压和电场分布与结构参数的关系.结果表明,该结构使埋氧层的电场从传统的3Es升高到近600V/μm,突破了传统SOI器件埋氧层的耐压值,大大提高了SOI器件的击穿电压.