逆反应烧结制备碳化硅/氮化硅复合材料的工艺

• 作者: 吴宏鹏 孙家林 洪彦若
• 来源期刊: 硅酸盐学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化硅/碳化硅复合材料 逆反应烧结 热力学 工艺基础
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 页码范围: 1-6
• 页数: 6页
• 分类号: TB321/TQ175
• 字数: 4200字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0454-5648.2005.01.001

摘要

制备Si3N4/SiC复合材料的常规反应烧结是以Si和SiC为原料进行氮化烧结,而逆反应烧结是以Si3N4和SiC为原料,首先使Si3N4反向反应为活性氧化物后再进行烧结.建立逆反应烧结工艺制备Si3N4/SiC复合材料的热力学基础.确定了Si3N4先于SiC氧化;氧化产物可以是SiO2,也可以是Si2N2O;形成的SiO2氧化膜不会与基体材料反应;在膜与基体之间可能生成Si2N2O.论证了逆反应烧结的热力学可行性.通过6个烧结实验,证实了其热力学分析的正确性,并从工艺参数与密度变化、残氮率和比强度等关系筛选出最佳的烧结工艺参数.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	洪彦若	北京科技大学无机非金属材料系	106	951	17.0	21.0
2	吴宏鹏	北京科技大学无机非金属材料系	5	33	3.0	5.0
3	孙家林	北京科技大学无机非金属材料系	3	37	3.0	3.0