栅氧层厚度与CMOS运算放大器电离辐射效应的关系

• 作者: 任迪远 余学锋 张军 郑毓峰 郭旗 陆妩
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS运算放大器 跨导 栅氧层 氧化物电荷 界面态
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 所属期刊栏目: 低能加速器技术、射线技术及应用
• 页码范围: 227-230
• 页数: 4页
• 分类号: TN72
• 字数: 3164字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3219.2005.03.016

摘要

介绍了在干氧和氢氧合成两种不同工艺和不同栅氧层厚度情况下,CMOS运算放大器电路的电离辐照响应规律.并通过对其单管特性及内部单元电路辐照变化的分析比较,探讨了栅氧层厚度的变化与运放电路辐照损伤之间的相互依赖关系.结果显示,适当地减薄栅氧层厚度,可相应地减少辐照感生氧化物电荷和界面态引起的跨导衰降,从而使CMOS运放电路的抗辐射特性得到明显的改善.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	余学锋	中国科学院新疆理化技术研究所	22	152	6.0	12.0
2	陆妩	中国科学院新疆理化技术研究所	42	320	11.0	16.0
3	郭旗	中国科学院新疆理化技术研究所	50	338	10.0	16.0
4	郑毓峰		56	610	13.0	23.0
5	任迪远	中国科学院新疆理化技术研究所	59	375	11.0	16.0
6	张军		84	275	9.0	14.0