离子束能量和衬底温度对氧化钆结构的影响

• 作者: 刘志凯 周剑平 宋书林 李艳丽 杨少延 林元华 柴春林 陈诺夫
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 离子束沉积 晶体结构 XPS
• 年，卷（期）: 2005,（z1）
• 页码范围: 57-60
• 页数: 4页
• 分类号: O484.5
• 字数: 1855字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.z1.016

摘要

利用双离子束沉积技术,在Si(100)衬底上制备了氧化钆薄膜.离子束能量在100～500eV范围内,衬底温度较低时薄膜为(402)择优取向的单斜结构,随着衬底温度的增加,择优取向转为(202)方向.当衬底温度是700℃时,出现了立方结构,这是由于离子束加热的作用,导致低温下出现单斜结构.XPS研究表明薄膜中存在氧缺陷,改进工艺条件可消除部分缺陷.