ZnSe单晶生长及性能研究

• 作者: 万玉春 刘景和 卢利平 张亮 曾繁明 李建立
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnSe单晶 物理气相输运法 高压坩埚下降法 透过率
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 页码范围: 215-218
• 页数: 4页
• 分类号: O736
• 字数: 2729字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2005.02.005

摘要

采用物理气相输运法对ZnSe(4N)多晶原料在850℃±10℃进行提纯,再用高压坩埚下降法在1530℃、氩气保护气氛下生长出高质量ZnSe单晶体.研究了提纯过程温度的选择以及氧含量和压力对于晶体生长的影响.对生长出的单晶体进行均匀性测试表明ZnSe单晶完整性和均匀性良好.对ZnSe单晶进行光学性能测试分析表明ZnSe单晶的折射率高,吸收系数低,红外透过率大于70%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘景和	长春理工大学材料与化工学院	134	714	13.0	18.0
2	曾繁明	长春理工大学材料与化工学院	66	240	9.0	12.0
3	卢利平	长春理工大学材料与化工学院	52	514	13.0	19.0
4	万玉春	长春理工大学材料与化工学院	48	249	10.0	13.0
5	李建立	长春理工大学材料与化工学院	24	139	8.0	10.0
6	张亮	长春理工大学材料与化工学院	19	117	6.0	10.0