SiC光控异质结达林顿晶体管的导通机理

• 作者: 蒲红斌 陈治明
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiC 光控达林顿晶体管 异质结 功率开关
• 年，卷（期）: 2005,（z1）
• 页码范围: 143-146
• 页数: 4页
• 分类号: TN32
• 字数: 2390字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.z1.038

摘要

利用窄能隙SiCGe三元合金,采用SiCGe/SiC pn异质结产生基极光电流方法,提出了新型SiC光控达林顿异质结晶体管功率开关结构,并用二维数值模拟软件对其导通机理进行了研究.分析结果表明,SiC光控异质结达林顿晶体管在近红外区内具有明显光控开关特性,其饱和导通压降为4.5V左右,且宜于强光工作.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈治明	西安理工大学电子工程系	83	498	11.0	18.0
2	蒲红斌	西安理工大学电子工程系	33	119	7.0	9.0