带隙可调的宽禁带半导体MgxZn1-xO薄膜研究进展

• 作者: 方国家 李春 赵兴中
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: MgxZn1-xO薄膜 宽禁带 半导体 发展前景
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 177-180
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2|O484.1
• 字数: 3762字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2005.02.005

摘要

MgxZn1-xO薄膜是一种新型宽禁带半导体薄膜,在兼顾ZnO、MgO材料性能的同时,具有带隙连续可调的特点,近年来逐渐成为半导体光电功能材料与器件的研究热点之一.本文从MgxZn1-xO薄膜的基本特性、制备方法、应用研究等方面进行了分析和评述,并对其应用前景进行了展望.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李春	武汉大学物理科学与技术学院	17	73	6.0	7.0
2	方国家	武汉大学物理科学与技术学院	3	26	2.0	3.0
3	赵兴中	武汉大学物理科学与技术学院	35	134	6.0	10.0