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功率场效应晶体管MOSFET(一)
功率场效应晶体管MOSFET(一)
作者:
周志敏
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
MOSFET结构
特性
驱动电路
功率损耗
应用
摘要:
本文阐述了MOSFET的结构、工作原理,静态、动态特性,并论述了动态特性的改进,对MOSFET的驱动电路及其发展动态作了简单介绍。分析了功率MOSFET的几种驱动电路的技术特性和功率损耗,介绍了新一代MOSFET——QFET的主要技术特性、MOSFET器件的发展趋势和研发动态及在变换器领域应用的优势。
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关键词热度
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文献信息
篇名
功率场效应晶体管MOSFET(一)
来源期刊
电源世界
学科
工学
关键词
MOSFET结构
特性
驱动电路
功率损耗
应用
年,卷(期)
2005,(4)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
60-62
页数
3页
分类号
TM92
字数
语种
DOI
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
周志敏
山东莱芜钢铁集团公司动力部
69
134
5.0
11.0
传播情况
被引次数趋势
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
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2005(0)
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二级引证文献(0)
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MOSFET结构
特性
驱动电路
功率损耗
应用
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电源世界
主办单位:
出版周期:
双月刊
ISSN:
1561-0349
CN:
开本:
大16开
出版地:
北京市团结湖北路2号
邮发代号:
创刊时间:
1998
语种:
chi
出版文献量(篇)
8016
总下载数(次)
25
总被引数(次)
6309
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