热处理对化学水浴沉积法制备的CuInS2薄膜的影响

• 作者: 严密 张辉 杨德仁 汤会香
• 来源期刊: 太阳能学报
• 学科: 工学
• 关键词: CuInS2薄膜 化学水浴沉积法 热处理
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 页码范围: 363-366
• 页数: 4页
• 分类号: TK511+.4
• 字数: 2348字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0254-0096.2005.03.013

摘要

采用二步化学水浴沉积法制备了太阳电池材料CuInS2薄膜,通过XRD、EDX和SEM,对薄膜的结构、成分、形貌进行了研究,并研究了不同的热处理过程对CuInS2薄膜的形成的影响.研究指出:二步化学水浴沉积法制备的CuInS2薄膜经过非真空的一步高温长时间热处理,薄膜容易被氧化,而在低真空下,采取低温-高温两步退火处理后,薄膜的结晶度和形貌都有一定程度的提高,因此后一热处理过程适合化学水浴沉积法制备CuInS2薄膜的后续热处理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张辉	浙江大学硅材料国家重点实验室	84	923	18.0	26.0
2	杨德仁	浙江大学硅材料国家重点实验室	180	1513	20.0	31.0
3	严密	浙江大学硅材料国家重点实验室	91	637	12.0	20.0
4	汤会香	浙江大学硅材料国家重点实验室	7	120	6.0	7.0