相变型半导体存储器研究进展

• 作者: 刘波 宋志棠 封松林
• 来源期刊: 物理
• 学科: 工学
• 关键词: 相变型半导体存储器 相变材料 器件设计 器件失效
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 所属期刊栏目: 前沿进展
• 页码范围: 279-286
• 页数: 8页
• 分类号: TP33
• 字数: 6371字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0379-4148.2005.04.009

摘要

文章系统地介绍了相变型半导体存储器的原理、相变材料、特点、器件结构设计、研究现状及面临的几个关键器件工艺问题.C-RAM由于具有非易失性、循环寿命长、元件尺寸小、功耗低、可多级存储、高速读取、抗辐照、耐高低温、抗振动、抗电子干扰和制造工艺简单等优点,被认为最有可能取代目前的FLASH、DRAM和SRAM而成为未来半导体存储器主流产品.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	封松林		4	122	4.0	4.0
2	宋志棠		3	114	3.0	3.0
3	刘波		2	103	2.0	2.0