界面电偶极子对GaN/AlGaN/GaN光电探测器紫外/太阳光选择比的影响

• 作者: 周小伟 张春福 张金凤 游海龙 郝跃
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 紫外/太阳光选择比 太阳盲区探测器 极化 电偶极子
• 年，卷（期）: 2005,（8）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 3810-3814
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 3084字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.08.060

摘要

在GaN/AlGaN/GaN倒置异质结光电二极管(IHP)中,存在于AlGaN/GaN异质结界面处强烈的极化效应对器件的紫外/太阳光(UV/Solar)选择比产生了重要的影响.将极化效应总的影响分为两部分:电偶极子和极化项,在建立的GaN/AlGaN/GaN结构IHP模型的基础上,对电偶极子对器件UV/Solar选择比的影响进行了分析.分析结果表明,只有在考虑电偶极子的影响时,光电探测器的UV/Solar选择比在103数量级左右,与实验结果符合较好.因此,在IHP中必须考虑电偶极子的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	游海龙	西安电子科技大学微电子学研究所宽禁带材料与器件教育部重点实验室	21	187	8.0	13.0
2	郝跃	西安电子科技大学微电子学研究所宽禁带材料与器件教育部重点实验室	312	1866	17.0	25.0
3	周小伟	西安电子科技大学微电子学研究所宽禁带材料与器件教育部重点实验室	8	31	3.0	5.0
4	张金凤	西安电子科技大学微电子学研究所宽禁带材料与器件教育部重点实验室	16	87	7.0	8.0
5	张春福	西安电子科技大学微电子学研究所宽禁带材料与器件教育部重点实验室	3	20	3.0	3.0