注氮工艺对SIMOX器件电特性的影响

• 作者: 刘忠立 张国强 张恩霞 易万兵 李宁 王曦 范楷 郑中山 陈猛
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SIMOX MOSFET 氮
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 835-839
• 页数: 5页
• 分类号: TN305
• 字数: 3271字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.04.040

摘要

研究了氮离子注入对SIMOX器件电特性的影响.氮注入SIMOX的埋氧层并退火后,将减小前栅MOS-FET/SIMOX的阈电压,提高其漏源击穿电压但对栅击穿电压影响较小.氮注入方式对SIMOX器件的I-V特性有重要影响.