多量子阱超辐射发光二极管(SLD)热分布计算

• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 超辐射发光二极管 热阻分布 有源区
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 607-610
• 页数: 4页
• 分类号: O472.3|O482.31
• 字数: 2561字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2005.05.010

摘要

对由8个量子阱所组成的条形超辐射发光二极管(Superluminescent diode,SLD)进行了热分析,计算了不同器件结构下的热阻和温度分布.计算结果表明,热阻变化受芯片宽度和长度的影响较大,可以达到两个数量级;当注入功率达到1 W时,有源区的温度将接近50 K.该分析对有效地设计芯片的结构,减少温度升高对SLD稳定性的影响具有指导意义.