采用MOCVD方法在GaAs衬底上生长ZnO(002)和ZnO(100)薄膜

• 作者: 崔勇国 张宝林 张源涛 朱慧超 李万程 杜国同
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 金属有机化学汽相沉积 ZnO薄膜 半导体材料
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 页码范围: 1154-1157,1153
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 字数: 2343字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.035

摘要

采用金属有机化学汽相沉积生长法(MOCVD),在不同的衬底表面处理条件和生长温度下,在GaAs衬底上生长出了ZnO薄膜.随着化学腐蚀条件的不同,可生长出优先定位不同的ZnO(100)和ZnO(002)薄膜.该薄膜的晶体结构特性是由X光衍射谱仪(XRD)所获得的,而其光学特性是由光荧光谱仪(PL)来测的.与ZnO(002)相比,ZnO(100)薄膜具有更优越的晶体结构特性,并且在同样的生长温度下都具有相似的光学特性.对于腐蚀条件不同的GaAs衬底所进行的XPS分析结果表明,ZnO薄膜优先定位变化的主要原因在于腐蚀过程中形成的富As层.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱慧超	吉林大学电子科学与工程学院集成光电子国家重点实验室	3	4	1.0	2.0
2	张宝林	吉林大学电子科学与工程学院集成光电子国家重点实验室	14	31	3.0	5.0
3	李万程	吉林大学电子科学与工程学院集成光电子国家重点实验室	13	131	4.0	11.0
4	张源涛	吉林大学电子科学与工程学院集成光电子国家重点实验室	13	21	3.0	4.0
5	崔勇国	吉林大学电子科学与工程学院集成光电子国家重点实验室	2	1	1.0	1.0