低能Ar离子束辅助沉积Ag(111)薄膜

• 作者: 任琮欣 冯涛 张正选 柳襄怀 江炳尧 蒋军 郑里平
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 工学
• 关键词: 离子束辅助沉积 Ag膜 沟道效应 择优取向
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 所属期刊栏目: 低能加速器技术、射线技术及应用
• 页码范围: 34-39
• 页数: 6页
• 分类号: TG174.444
• 字数: 3981字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3219.2005.01.009

摘要

采用低能Ar离子束辅助沉积方法,在Mo/Si(100)基底上制备Ag膜.实验发现,用Ar离子束溅射沉积的Ag膜呈(111)择优取向.若在溅射沉积Ag膜的同时,用能量为500 eV的Ar离子束沿衬底法线方向对Ag膜进行辅助轰击,当离子/原子到达比为0.06时,Ag膜呈(111)择优取向;当离子/原子到达比增大到0.18时,Ag膜呈(111)和(100)混合晶向.若Ar离子的入射角为35.26°,离子/原子到达比为0.06时,Ag膜呈(111)择优取向;当离子/原子比增大到0.18时,Ag膜呈(111)和微弱的(100)混合晶向.若Ar离子的入射角为54.7°,离子/原子到达比为0.06时,沉积的Ag膜呈很强的(111)择优取向.