表面开口缺陷深度与漏磁场的关系

• 作者: 仲维畅
• 来源期刊: 无损检测
• 学科: 工学
• 关键词: 磁性检测 表面开口缺陷 缺陷深度 漏磁场
• 年，卷（期）: 2005,（10）
• 所属期刊栏目: 科研成果与学术交流
• 页码范围: 529-531
• 页数: 3页
• 分类号: TG115.28
• 字数: 1856字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-6656.2005.10.007

摘要

由磁偶极子理论证明,表面开口缺陷引起的漏磁场H正比于(d/2-kδ),其中d是缺陷深度,而δ是取决于工件和缺陷横截面的形状与尺寸的一较小长度,k是一个系数,它取决于缺陷侧壁上的磁荷分水岭.从而可以得出结论,当d很小时,H与d间近似为线性关系;而d增大时,它们之间则呈非线性关系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	仲维畅		40	283	10.0	15.0