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摘要:
介绍了基于0.18μm CMOS工艺设计的10Gb/s光发射机电路,包括复接器和激光驱动器两部分.仿真结果表明,在1.8V电源电压作用下该电路可工作在10Gb/s速率以上,输入四路单端峰峰值为0.2V的信号时,在单端50Ω负载上的复接输出电压摆幅可达到1.4V以上,电路功耗约为230mW.芯片面积为1.77mm×0.94mm.
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 10Gb/s 0.18μm CMOS光发射机芯片
来源期刊 半导体光电 学科 工学
关键词 激光驱动器 复接器 锁存器 CMOS 直接耦合 SOC
年,卷(期) 2005,(4) 所属期刊栏目 光通信
研究方向 页码范围 350-352
页数 3页 分类号 TN929.11
字数 834字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-5868.2005.04.022
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王志功 东南大学射频与光电集成电路研究所 342 2153 20.0 29.0
2 冯军 东南大学射频与光电集成电路研究所 77 348 9.0 12.0
3 雷恺 东南大学射频与光电集成电路研究所 3 9 2.0 3.0
4 缪瑜 东南大学射频与光电集成电路研究所 3 4 2.0 2.0
传播情况
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2007(1)
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研究主题发展历程
节点文献
激光驱动器
复接器
锁存器
CMOS
直接耦合
SOC
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体光电
双月刊
1001-5868
50-1092/TN
大16开
重庆市南坪花园路14号44所内
1976
chi
出版文献量(篇)
4307
总下载数(次)
22
总被引数(次)
22967
相关基金
国家高技术研究发展计划(863计划)
英文译名:The National High Technology Research and Development Program of China
官方网址:http://www.863.org.cn
项目类型:重点项目
学科类型:信息技术
论文1v1指导