高功率附加效率的InGaP/GaAs功率HBT

• 作者: 刘新宇 吴德馨 孙海锋 樊宇伟 狄浩成 王素琴 袁志鹏 郑丽萍
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 功率附加效率 InGaP/GaAs 功率HBT
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 92-95
• 页数: 4页
• 分类号: TN322+.8
• 字数: 1745字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.01.019

摘要

采用发射极-基极金属自对准工艺,成功研制出了InGaP/GaAs功率HBT.发射极尺寸为(3μm×15μm)×16的功率器件的截止频率和最高振荡频率分别为55GHz和35GHz.在片load-pull测试表明:当工作频率为1GHz时,器件工作在AB类,该功率管最大输出功率为23.5dBm,最大功率附加效率达60%,P1dB的输出功率为21dBm,对应增益为16dB,工作电压为3.5V.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙海锋	中国科学院微电子学研究所	12	45	4.0	6.0
2	刘新宇	中国科学院微电子学研究所	141	717	13.0	18.0
3	吴德馨	中国科学院微电子学研究所	58	345	11.0	14.0
4	郑丽萍	中国科学院微电子学研究所	5	86	2.0	5.0
5	狄浩成	中国科学院微电子学研究所	2	3	1.0	1.0
6	樊宇伟	中国科学院微电子学研究所	3	12	2.0	3.0
7	王素琴	中国科学院微电子学研究所	3	5	2.0	2.0
8	袁志鹏	中国科学院微电子学研究所	11	33	3.0	5.0