用离子注入和掩埋金属自对准技术改善Si/SiGe HBT性能

• 作者: 史辰 徐晨 杨维明 陈建新
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 离子注入 掩埋金属自对准 HBT 噪声系数
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 页码范围: 245-247,393
• 页数: 4页
• 分类号: TN305|TN385
• 字数: 2294字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2005.02.004

摘要

在器件纵向结构确定后,常规工艺制作的SiGe/Si HBT噪声性能不理想的主要原因是其基极电阻较大,高频性能不理想主要是由于其基极和发射极台面面积较大造成的;为达到改善其高频与低噪声性能的目的,在不改变光刻工艺精度的情况下,采用离子注入和掩埋金属自对准工艺方法完成了器件制作;与传统制作方法相比,前者可减小外基区电阻,后者可以减小电极接触电阻,并能使器件的台面面积做得更小.在此基础上,我们测试了器件的最小噪声系数与最高截止频率,结果表明:用自对准工艺制作的器件的高频噪声与频率性能都显著改善.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐晨	北京工业大学光电子技术实验室	63	295	9.0	13.0
2	陈建新	北京工业大学光电子技术实验室	65	441	11.0	17.0
3	杨维明	北京工业大学光电子技术实验室	14	46	4.0	6.0
4	史辰	北京工业大学光电子技术实验室	17	126	5.0	11.0