超高真空化学气相生长用于应变硅的高质量SiGe缓冲层

• 作者: 刘国军 叶志镇 吴贵斌 崔继峰 赵炳辉
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 超高真空化学气相沉积 锗硅 缓冲层
• 年，卷（期）: 2005,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 2139-2142
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 1718字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.11.018

摘要

采用UHV/CVD技术,以多层SiGe/Si结构作为缓冲层来生长应变弛豫SiGe虚衬底,并在此基础上生长出了具有张应力的Si层.利用高分辨X射线、二次离子质谱仪和原子力显微镜分别对薄膜的晶体质量、厚度以及平整度进行了分析.结果表明,通过这种方法制备的SiGe虚衬底,不仅可以有效提高外延层中Ge含量,以达到器件设计需要,而且保证很好的晶体质量和平整的表面.Schimmel液腐蚀后观察到的位错密度只有1×106cm-2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	叶志镇	浙江大学硅材料国家重点实验室	155	1638	21.0	35.0
2	赵炳辉	浙江大学硅材料国家重点实验室	74	719	14.0	24.0
3	吴贵斌	浙江大学硅材料国家重点实验室	11	70	4.0	8.0
4	刘国军	浙江大学硅材料国家重点实验室	9	39	3.0	6.0
5	崔继峰	浙江大学硅材料国家重点实验室	1	19	1.0	1.0