常压MOCVD生长ZnO/GaN/Al2O3薄膜及其性能

• 作者: 刘卫华 戴江南 方文卿 江风益 熊传兵 王立 莫春兰 蒲勇 郑畅达
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 金属有机化学气相沉积 GaN/Al2O3 原子力显微镜 X射线双晶衍射 光致发光
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 772-776
• 页数: 6页
• 分类号: O472.3|O482.31
• 字数: 3257字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2005.06.016

摘要

以去离子水(H2O)和二乙基锌(DEZn)为源材料,生长温度是680 ℃时,利用常压MOCVD在GaN/Al2O3模板上成功生长了ZnO单晶薄膜,用原子力显微镜(AFM)、X射线双晶衍射(DCXRD)、光致发光谱(PL)对ZnO薄膜的表面形貌、结晶学性质、光学性质作了综合研究.双晶衍射表明,ZnO非对称(101-2)面ω扫描的半峰全宽(FWHM)仅为420 arcsec,估算所生长ZnO膜的位错密度大约为108 /cm2量级,这与具有器件质量的GaN材料的位错密度相当 .在ZnO薄膜的低温15 K光荧光谱中,观察到很强的自由激子和束缚激子发射以及自由激子与束缚激子的多级声子伴线.