双梯度掺杂漂移机制InP/GaP光二极管

• 作者: Aristo Yulius Jerry M Woodall 严辉 孙艳宁 李果华
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: InP 漂移机制 光二极管 太阳电池
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 354-356
• 页数: 3页
• 分类号: TN312+.8
• 字数: 1913字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.02.026

摘要

设计了双梯度掺杂漂移机制InP/GaP光二极管,研究了由于晶体不匹配所造成的缺陷以及这些缺陷对器件性能的影响.结果表明InP/GaP光二极管具有很好的光谱响应和抗辐射特性,特别是在短波方向有高于80%的内量子效率.这说明在双梯度掺杂漂移机制结构中使用晶格不匹配的衬底时,外延晶体中所产生的缺陷对器件性能的影响较小,器件在有大量缺陷和复合中心存在的情况下仍然可以具有较好的光电特性,从而为在强辐射带轨道运行的航天器使用太阳电池以及InP/Si器件技术提供了很好的设计依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	严辉	北京工业大学量子材料实验室	178	1225	16.0	29.0
2	李果华	江南大学理学院光信息科学与技术系	2	6	1.0	2.0