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摘要:
ZnO具有优良的综合性能使其成为极有前途的下一代光电材料,水热法是一种重要的生长ZnO晶体的方法.本文对水热法生长的面积约150mm2的ZnO晶体进行了报道,研究了晶体不同方向的生长速度、形貌特征和光学性能.X射线摇摆曲线表明晶体的质量较好.对于光学性质的分析表明晶体生长时加入H2O2能显著提高晶体的质量.494nm附近的发光带可能与氧空位有关.520nm的发光可能与Na或者Si所形成的杂质能级跃迁有关.
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 水热法ZnO晶体特征研究
来源期刊 人工晶体学报 学科 物理学
关键词 ZnO晶体 光致发光 晶体生长 半导体
年,卷(期) 2005,(6) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 1083-1087
页数 5页 分类号 O794
字数 2379字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.020
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 仲维卓 中国科学院上海硅酸盐研究所 40 1092 19.0 32.0
2 徐军 中国科学院上海光学精密机械研究所 290 2418 22.0 34.0
3 张昌龙 22 122 8.0 10.0
4 宋词 中国科学院上海光学精密机械研究所 11 172 4.0 11.0
5 夏长泰 中国科学院上海光学精密机械研究所 19 225 8.0 14.0
6 杭寅 中国科学院上海光学精密机械研究所 44 386 10.0 17.0
7 顾书林 南京大学物理系 46 261 9.0 14.0
8 周卫宁 10 62 4.0 7.0
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人工晶体学报
月刊
1000-985X
11-2637/O7
16开
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
1972
chi
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