TbFe/Fe交换耦合磁致伸缩多层膜的制备

• 作者: 张万里 张文旭 张金平 彭斌 杨仕清 蒋洪川
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: TbFe/Fe多层膜 交换耦合 磁致伸缩 磁控溅射
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 193-195,199
• 页数: 4页
• 分类号: TM271
• 字数: 3006字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2005.02.010

摘要

采用双靶磁控溅射法制备了TbFe/Fe交换耦合磁致伸缩多层膜,考察了热处理时间、Fe层厚度、溅射功率以及Ar气分压对多层膜低场磁致伸缩性能的影响.研究结果表明:TbFe磁致伸缩层与软磁Fe层之间通过交换耦合作用以及热处理能明显提高薄膜的软磁性能和磁致伸缩性能;TbFe/Fe多层膜的磁致伸缩性能对热处理时间、Fe层厚度、溅射功率、Ar气分压等薄膜沉积参数十分敏感;与TbFe磁致伸缩薄膜相比TbFe/Fe交换耦合磁致伸缩多层膜水平方向的矫顽力从16kA/m降低到9.6 kA/m.在外加磁场为8000 A/m条件下,TbFe/Fe磁致伸缩多层膜最大磁致伸缩系数可达1.58×10-4.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张金平	电子科技大学微电子与固体电子学院	19	83	5.0	8.0
2	蒋洪川	电子科技大学微电子与固体电子学院	74	586	12.0	19.0
3	杨仕清	电子科技大学微电子与固体电子学院	43	401	10.0	18.0
4	张万里	电子科技大学微电子与固体电子学院	142	705	13.0	17.0
5	彭斌	电子科技大学微电子与固体电子学院	87	638	12.0	21.0
6	张文旭	电子科技大学微电子与固体电子学院	35	302	9.0	16.0