激光处理GaN薄膜的研究

• 作者: 宁永功 屠晶景 徐洪艳 杨忠孝 陶华锋
• 来源期刊: 激光技术
• 学科: 物理学
• 关键词: GaN薄膜 损伤阈值 激光处理 缺陷密度
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 所属期刊栏目: 材料和元件
• 页码范围: 652-653,656
• 页数: 3页
• 分类号: O484
• 字数: 1753字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-3806.2005.06.010

摘要

通过激光损伤实验,报道了GaN薄膜10.6μm CO2激光的损伤阈值是64J/cm2;为了改善GaN薄膜质量,对其进行了10.6μm CO2激光辐照处理,结果表明,处理后GaN薄膜的缺陷密度明显降低.并对机理进行了分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宁永功	电子科技大学微电子与固体电子学院	14	40	4.0	5.0
2	杨忠孝	电子科技大学微电子与固体电子学院	20	94	6.0	9.0
3	陶华锋	电子科技大学微电子与固体电子学院	6	50	4.0	6.0
4	屠晶景	电子科技大学微电子与固体电子学院	2	13	2.0	2.0
5	徐洪艳	电子科技大学微电子与固体电子学院	1	4	1.0	1.0