双量子阱中的子带光吸收

• 作者: 于凤梅 俞友宾 王瑞强 邓永晴 郭康贤
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 双量子阱 子带光吸收
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 215-219
• 页数: 5页
• 分类号: O472.3
• 字数: 2111字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2005.02.015

摘要

由于微制造技术的不断发展,如液相外延(LPE),气相外延(VPE),金属有机化学气相沉积(MOCVD)以及分子束外延技术(MBE)等先进的材料生长技术方法也日趋完善,从而使得各种低维半导体量子器件(如半导体、超晶格、量子阱、量子线和量子点等)制造日趋成熟.由于这些低维半导体量子器件具有很强的非线性光效应,而且随着材料、外形、尺寸等的不同,非线性光效应也有很大的差别,更由于其可能存在的广泛的应用前景,所以近年来,一直是人们研究的重点.近来,由于人们相信,利用GaAs/AlGaAs量子阱有可能制造出一些新型的光学仪器,如光开关、光限幅器、光调制器等,所以,对不同势形的GaAs/AlGaAs量子阱的非线性光学特性一直吸引着人们进行理论和实验的研究.而在最近几年,对双量子阱的研究也成为了人们的研究重点.通过密度矩阵和迭代的方法,得到双量子阱中的第一、第三阶子带光吸收表达式,我们将用一个典型的GaAs/AlGaAs双量子阱代入其中进行数值计算,并进行讨论.我们的计算结果显示,阱的光吸收峰不但与中间的势垒宽度有关,更与入射光强有关.