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摘要:
光刻校正技术已成为超深亚微米下集成电路设计和制光刻校正技术的基本原理以及在IC设计中使用这些技术需要注意的问题,为可制造性设计提供有价值的指导.
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文献信息
篇名 成品率驱动的光刻校正技术
来源期刊 半导体技术 学科 工学
关键词 光刻 光学邻近校正 移相掩模 可制造性设计
年,卷(期) 2005,(6) 所属期刊栏目 技术专栏(光刻技术)
研究方向 页码范围 10-13
页数 4页 分类号 TN305.7
字数 2545字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1003-353X.2005.06.004
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王国雄 浙江大学超大规模集成电路设计研究所 20 98 6.0 9.0
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研究主题发展历程
节点文献
光刻
光学邻近校正
移相掩模
可制造性设计
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体技术
月刊
1003-353X
13-1109/TN
大16开
石家庄179信箱46分箱
18-65
1976
chi
出版文献量(篇)
5044
总下载数(次)
38
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:the National Natural Science Foundation of China
官方网址:http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:数理科学
国家高技术研究发展计划(863计划)
英文译名:The National High Technology Research and Development Program of China
官方网址:http://www.863.org.cn
项目类型:重点项目
学科类型:信息技术
论文1v1指导