半绝缘砷化镓表面光伏谱的三区分析

• 作者: 王松柏
• 来源期刊: 江西科学
• 关键词: 半绝缘GaAs 表面光伏谱 三个区域
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 所属期刊栏目: 研究进展
• 页码范围: 548-551
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-3679.2005.05.016

摘要

采用低温(21 K-300K)稳态表面光伏实验方法,对腐蚀前后的半绝缘砷化镓(Si-GaAs)样品进行了大量的实验测量,发现其表面光伏谱可分为三个区域,并对三个区域的成因进行了合理的物理分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王松柏	福州大学物理与信息工程学院	7	7	2.0	2.0