氮化物抛物量子阱中类氢杂质态能量

• 作者: 乌仁图雅 萨茹拉 赵凤岐
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 氮化物抛物量子阱 类氢杂质态 结合能
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 719-722
• 页数: 4页
• 分类号: O471.1|O472.3
• 字数: 2382字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2005.06.005

摘要

采用变分方法研究氮化物抛物量子阱(GaN/AlxGa1-xN)材料中类氢杂质态的能级,给出基态能量、第一激发态能量、结合能和跃迁能量等物理量随抛物量子阱宽度变化的函数关系.研究结果表明,基态能量、第一激发态能量、基态结合能和1s→2p ±跃迁能量随着阱宽L 的增大而减小,最后接近于GaN中3D值.GaN/Al0.3Ga0.7N抛物量子阱对杂质态的束缚程度比GaAs/Al0.3Ga0.7As抛物量子阱强,因此,在GaN/Al0.3-Ga0.7N抛物量子阱中束缚于杂质中心处的电子比在GaAs/Al0.3Ga0.7As抛物量子阱中束缚于杂质中心处的电子稳定.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵凤岐	内蒙古师范大学物理与电子信息学院	40	140	7.0	9.0
2	萨茹拉	内蒙古师范大学物理与电子信息学院	34	83	5.0	7.0
3	乌仁图雅	内蒙古师范大学物理与电子信息学院	18	56	4.0	7.0