正常金属/绝缘层/s波超导隧道结中绝缘层对微分电导的影响

• 作者: 董正超 魏健文
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: NIS结 方势垒 微分电导
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 2318-2324
• 页数: 7页
• 分类号: O4
• 字数: 3605字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.05.064

摘要

在正常金属/绝缘层/s波超导隧道结(NIS结)中,以方势垒描述绝缘层对准粒子输运的影响,运用Bogoliubov-deGennes(BdG)方程、Blonder-Tinkham-Klapwijk(BTK)理论,计算了NIS隧道结中的准粒子输运系数和微分电导.研究表明,微分电导随绝缘层厚度的变化呈振荡和衰减两种趋势,其振荡的周期和衰减的快慢均强烈地依赖于绝缘层的势垒值以及V=△0/e的偏压值,电导峰的高低及峰的位置与绝缘层厚度密切相关,显示了比δ势描述更为丰富多彩的隧道谱.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	董正超	淮阴师范学院物理系	24	29	3.0	3.0
2	魏健文	淮阴师范学院物理系	16	10	2.0	3.0