Si调制掺杂AlGaN/GaN异质结磁阻拍频现象

• 作者: 仇志军 吕捷 唐宁 姚炜 桂永胜 沈波 褚君浩 郑泽伟
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: AlGaN/GaN异质结构 SdH振荡 磁致子带间散射 磁阻拍频
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 2247-2251
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 2630字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.05.051

摘要

在低温(1.5K-25K)和强磁场(0-10T)条件下,对二维电子气占据两个子带的Si调制掺杂A1GaN/GaN异质结构进行磁输运测量.在一定温度范围内观察到磁阻拍频现象.根据Sander等人和Raikh等人给出的磁阻振荡的具体表达式,拟合实验结果表明磁阻拍频是由第一子带SdH振荡和磁致子带间散射引起的磁阻振荡导致的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐宁	南京大学物理系	5	19	3.0	4.0
2	沈波	南京大学物理系	34	136	7.0	10.0
3	郑泽伟	南京大学物理系	3	7	1.0	2.0
4	桂永胜	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	7	14	3.0	3.0
5	仇志军	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	8	132	5.0	8.0
6	姚炜	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	2	1	1.0	1.0
7	吕捷	南京大学物理系	1	1	1.0	1.0