中子辐照CZ硅单晶热处理后的电阻率变化

• 作者: 佟丽英 张继荣 薛佳伟
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 硅单晶 电阻率 辐照 缺陷 热处理
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 所属期刊栏目: 支撑技术
• 页码范围: 48-49
• 页数: 2页
• 分类号: TN305
• 字数: 1671字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2005.03.014

摘要

CZ硅单晶受中子辐照,产生辐照缺陷,使其电阻率相对于其原始值有一定的偏差,经氮气气氛、650～700℃热处理,其电阻率可以基本恢复原始值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张继荣	中国电子科技集团公司第四十六研究所	4	2	1.0	1.0
2	薛佳伟	中国电子科技集团公司第四十六研究所	2	2	1.0	1.0
3	佟丽英	中国电子科技集团公司第四十六研究所	19	22	3.0	3.0