亚微米门阵列ASIC设计技术

• 作者: 于宗光 叶建明 王成
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS 门阵列 设计技术
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 所属期刊栏目: 电路设计与制造
• 页码范围: 36-42
• 页数: 7页
• 分类号: TN402
• 字数: 4511字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2005.02.008

摘要

本文主要论述亚微米CMOS门阵列的设计技术,包括建库技术,可测性设计技术、时钟设计技术、电源、地设计技术、电路结构优化、余量设计技术等,最后给出了应用实例.