In2O3气敏元件的研制及影响因素的研究

• 作者: 潘庆谊 程知萱 董晓雯
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 工学
• 关键词: 气敏元件 纳米In2O3 三甲胺 NH3
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 173-176
• 页数: 4页
• 分类号: TP211+.51
• 字数: 2420字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2005.02.010

摘要

以氯化铟为前驱体, OP-10为形貌控制剂, 采用溶胶-凝胶法制备了纳米In2O3粉体, 并以TG-DSC, XRD, TEM等多种手段对粉体进行了表征.以此粉体为气敏材料, 采用涂敷烧结的方法制成旁热式气敏传感元件, 研究了该元件对三甲胺(TMA)的检测性能, 重点讨论存在NH3干扰情况下的气敏性能.结果表明: 350 ℃煅烧1 h制备的In2O3粉体, 晶粒尺寸＜20 nm, 呈立方晶型; 该粉体制成的气敏元件对TMA气体的检测灵敏度比起H2, C2H5OH等气体要高的多, 因此可用于选择性检测TMA; 此外, 该元件对NH3也有一定的响应, 进一步研究发现NH3存在对TMA检测的影响主要是NH3在In2O3材料表面的吸附所至.掺杂Pd2+可提高In2O3材料的检测灵敏度, 降低检测温度; Pd2+的掺杂量在质量分数0.2%～5% PdCl2-In2O3范围内变化对TMA检测灵敏度的影响不明显.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	董晓雯	上海大学理学院化学系	21	244	7.0	15.0
2	潘庆谊	上海大学理学院化学系	54	838	16.0	26.0
3	程知萱	上海大学理学院化学系	33	383	11.0	18.0