偏压对空心阴极放电等离子体溅射制备氮化碳薄膜的影响

• 作者: 冯贤平 施芸城 杨平 闫永辉
• 来源期刊: 物理实验
• 学科: 物理学
• 关键词: 氮化碳薄膜 直流空心阴极放电 偏压
• 年，卷（期）: 2005,（12）
• 所属期刊栏目: 物理实验与应用
• 页码范围: 15-19
• 页数: 5页
• 分类号: O484.1
• 字数: 2170字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-4642.2005.12.004

摘要

利用空心阴极放电等离子体源在Si(100)单晶衬底上沉积了氮化碳薄膜.薄膜的表面形貌表明所得的薄膜非常的均匀光滑.用X光电子能谱、拉曼和红外吸收光谱对薄膜的结构、成分和化学键等进行了研究.在拉曼光谱中可以看到典型的G,D和C=N键的峰.当偏压为250 V时,薄膜拉曼光谱中的D峰完全消失,此时薄膜的N/C比达到了0.81.通过对薄膜的XPS分析也表明薄膜中C-C,sp2CN和sp3CN键的组分也发生了明显的变化.当偏压为250 V时薄膜的sp3CN相的含量达到了最大值为40%,同时氮含量也达到了最大值.实验结果给出了直接的证据:薄膜的结构模式可以通过改变偏压来得到控制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	闫永辉	东华大学物理系	10	108	5.0	10.0
2	施芸城	东华大学物理系	21	92	6.0	9.0
3	杨平	东华大学材料科学与工程学院	6	37	4.0	6.0