AlxGa1-xAs/GaAs异质结中电子迁移率的压力效应

• 作者: 班士良 白鲜萍
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 异质结 电子迁移率 压力效应
• 年，卷（期）: 2005,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 2422-2427
• 页数: 6页
• 分类号: O471.3
• 字数: 4084字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.12.029

摘要

对AlxGa1-xAs/GaAs半导体单异质结系统,引入有限高势垒与考虑导带弯曲的真实势,同时计入电子对异质结势垒的隧穿,利用变分法和记忆函数方法讨论在界面光学声子和体纵光学声子的散射下,异质结界面附近电子迁移率随温度的变化关系及其压力效应.结果显示:电子迁移率随温度、压力的增加而减小;且两种声子的散射作用均随压力增强,界面光学声子的变化幅度更大.因此,在讨论压力的情形下,界面光学声子的作用不容忽略.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	白鲜萍	内蒙古大学理工学院物理系	20	38	4.0	4.0
2	班士良	内蒙古大学理工学院物理系	58	198	8.0	9.0