SiGe/Si(100)外延薄膜材料的应变表征研究

• 作者: 余本海 刘江峰 曹建清 朱德彰 陈长春
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 化学
• 关键词: 应变 硅锗 卢瑟福背散射/沟道效应 高分辨率X射线衍射 拉曼谱
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 所属期刊栏目: 低能加速器技术、射线技术及应用
• 页码范围: 277-281
• 页数: 5页
• 分类号: O6
• 字数: 4908字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3219.2005.04.007

摘要

如何表征SiGe/Si异质外延薄膜中的应变对提升SiGe器件的性能至关重要.本文详细介绍了卢瑟福背散射/沟道效应(RBS/C)、高分辨率X射线衍射(HRXRD)和拉曼(Raman)谱等技术表征SiGe薄膜中应变的原理.通过这些实验技术,研究了SiGe/Si外延薄膜在氧气和惰性气体氛围下高温退火前后应变弛豫及离子注入Si衬底上外延生长的SiGe薄膜应变状态.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱德彰	中国科学院上海应用物理研究所核分析技术重点实验室	26	83	5.0	8.0
2	曹建清	中国科学院上海应用物理研究所核分析技术重点实验室	4	9	2.0	3.0
3	余本海	河南信阳师范学院物理电子工程学院	3	20	2.0	3.0
4	刘江峰	河南信阳师范学院物理电子工程学院	3	20	2.0	3.0
5	陈长春	河南信阳师范学院物理电子工程学院	2	18	2.0	2.0