MoO3掺杂对BiNbO4陶瓷微波介电性能的影响

• 作者: 丁士华 姚熹 张良莹 毛羽
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 无机非金属材料 微波介质陶瓷 介电性能 掺杂 缺陷偶极子
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 12-14
• 页数: 3页
• 分类号: TM28|TN61
• 字数: 2148字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2005.06.004

摘要

采用固相反应法,研究了MoO3掺杂对BiNbO4 陶瓷微结构、烧结特性和微波介电性能的影响.对相对介电常数εr和品质因数Q随烧结温度的变化以及谐振频率温度系数随MoO3掺杂量的变化也进行了研究.MoO3的掺杂量x低于0.05时,实现了BiNbO4陶瓷在970℃以下的低温烧结,并且相转变温度也降低了约60℃.通过对εr以及介质损耗随温度的变化特性的研究,证实了缺陷偶极子对材料介电性能的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姚熹	同济大学功能材料研究所	123	956	16.0	21.0
2	丁士华	同济大学功能材料研究所	15	66	5.0	7.0
3	张良莹	同济大学功能材料研究所	81	658	13.0	19.0
4	毛羽	同济大学功能材料研究所	2	10	2.0	2.0