氮掺杂对a-C:F薄膜表面形貌和键结构的影响

• 作者: 刘雄飞 周昕 高金定
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 无机非金属材料 a-C:F薄膜 氮掺杂 表面形貌 结构
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 42-43,46
• 页数: 3页
• 分类号: TM21
• 字数: 1939字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2005.06.013

摘要

用射频等离子体增强化学气相沉积设备制备了氮掺杂a-C:F(氟化非晶碳)薄膜,研究了不同氮源流量比对薄膜表面形貌和键结构的影响.AFM观察结果发现:随氮流量的增加,薄膜表面粗糙度降低,颗粒粒径变小,薄膜更加均匀致密.Raman光谱分析表明:氮源流量的增加会引起薄膜内sp2键态含量增加,即芳香环式结构比例上升,当r(N2/(CF4+CH4+N2))为68%时,ID/IG由未掺N2时的1.591增至4.847,薄膜的热稳定性增强.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高金定	中南大学物理科学与技术学院	15	96	5.0	9.0
2	刘雄飞	中南大学物理科学与技术学院	63	517	13.0	21.0
3	周昕	中南大学物理科学与技术学院	7	12	2.0	3.0