MOCVD法制备ZnO同质发光二极管

• 作者: 叶志镇 吕建国 徐伟中 曾昱嘉 朱丽萍 李先杭 江柳 汪雷 赵炳辉 黄靖云
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO LED p型掺杂 金属有机化学气相沉积
• 年，卷（期）: 2005,（11）
• 所属期刊栏目: 技术进展
• 页码范围: 2264-2266
• 页数: 3页
• 分类号: TN3
• 字数: 1506字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.11.040

摘要

在n型ZnO体单晶片上,首次采用N等离子体辅助金属有机化学气相沉积方法外延生长了p型ZnO薄膜,制成了同质ZnO的发光二极管(LED)原型器件;在室温下,观察到同质ZnO的LED施加电压后由电注入激发出紫外至绿光波段的光谱.