纳米Bi2O3-Y2O3快离子导体的制备

• 作者: 何伟明 刘建强 潘庆谊 甄强
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 化学
• 关键词: 共沉淀法 无压反应烧结 纳米晶Bi2O3-Y2O3快离子导体 工艺优化
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 393-400
• 页数: 8页
• 分类号: O646
• 字数: 3996字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.2005.02.021

摘要

以共沉淀法制备的纳米(75mol%Bi2O3+25mol%Y2O3)混合粉体作为原料,通过无压反应烧结工艺制备了纳米Bi2O3-Y2O3快离子导体.对烧结过程中高导电相(纳米δ-Bi2O3)的形成规律研究表明:固溶反应发生在烧结过程的初期,在烧结过程中晶粒生长规律符合(D-Do)2=K·t抛物线方程.用模式识别技术对δ-Bi2O3相生成的工艺条件进行优化的工艺参数优化区为:Y＞-1.846X+3.433(X=0.0059T+0.0101t,Y=-0.0059T+0.0101t,式中,T为烧结温度,t为烧结时间).在T=600℃,t=2h无压反应烧结条件下,纳米晶Bi2O3-Y2O3快离子导体材料的相对密度可达96%以上,并且微观结构致密均匀,很少有残留气孔和裂纹,平均晶粒尺寸在100nm以下.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	潘庆谊	上海大学理学院	54	838	16.0	26.0
2	甄强	上海大学材料学院	40	215	8.0	12.0
6	何伟明	上海大学材料学院	5	58	4.0	5.0
7	刘建强	上海大学材料学院	7	68	4.0	7.0