纳米ZrO2前驱物表面电性能的研究

• 作者: 尹光福 杨世源 梁晓峰 王军霞 罗庆平
• 来源期刊: 硅酸盐通报
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米ZrO2 前驱物 ζ-电位
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 所属期刊栏目: 研究工作快报
• 页码范围: 74-76
• 页数: 3页
• 分类号: TQ17
• 字数: 2834字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-1625.2005.03.019

摘要

利用3000HS型ζ-电位分析仪研究了ZrOCl2浓度、pH值、分散剂等因素对纳米氧化锆前驱物表面ζ-电位的影响.结果表明:低浓度ZrOCl2溶液生成的ZrO2前驱物的ζ-电位对pH值变化更加敏感;添加2%(质量分数,下同)的PEG6000和PEG20000使ZrO2前驱物的表面ζ-电位有所降低,添加2%的PEG100对前驱物ζ-电位的影响更为显著.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	尹光福	四川大学材料学院	186	1909	22.0	35.0
2	梁晓峰	西南科技大学材料学院	47	235	9.0	13.0
6	杨世源	西南科技大学材料学院	67	548	14.0	20.0
7	王军霞	西南科技大学材料学院	47	307	10.0	15.0
8	罗庆平	西南科技大学材料学院	26	217	10.0	14.0