PZT铁电薄膜的射频磁控溅射制备及其性能

• 作者: 孙瑾兰 张景基 王根水 王震东 褚君浩 赖珍荃 钟双英
• 来源期刊: 江西科学
• 关键词: PZT铁电薄膜 射频磁控溅射 退火温度
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 527-530
• 页数: 4页
• 分类号: P484.4+3
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-3679.2005.05.010

摘要

实验采用射频磁控溅射工艺,在较低的衬底温度(370℃)、纯Ar气氛中和在(111)Pt/Ti/SiO2/Si衬底上用陶瓷靶Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)制备具有完全钙钛矿结构的多晶PZT(52/48)铁电薄膜,沉积过程中基片架作15°摇摆以提高膜厚的均匀性,然后在大气环境中对沉积的PZT薄膜进行快速热退火处理.用电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-AES)和Auger电子能谱(AES)测量其组分,X射线衍射仪(XRD)分析PZT薄膜的相结构和结晶取向,RT66A标准铁电测试系统分析Pt/PZT/Pt/Ti/SiO2/Si电容器的电学特性.结果表明:PZT铁电薄膜具有较高的剩余极化(Pr=44.9μC/cm2)和低的漏电流(10-8A量级).