ZnS晶体中浅电子陷阱对光电子衰减过程的影响

• 作者: 张蕾 林琳 田少华 窦军红 葛世艳 董国义 郑一博 韦志仁
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnS 微波介电谱 热释光 光电子
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 页码范围: 116-119
• 页数: 3页
• 分类号: O734
• 字数: 976字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2005.01.026

摘要

本文采用微波吸收法,测量了ZnS:Mn,Cu:I,Br粉末材料受到超短激光脉冲激发后,其光生电子和浅束缚电子的衰减过程.发现制备过程中Mn2+、Cu1、I-、Br-的掺杂量对光生导带电子的衰减过程有明显的影响.光生电子寿命是I-、Br-形成的浅施主能级和Cu+受主能级、Mn2+发光中心共同作用的结果.本文还测量了材料的热释光曲线,Cu+受主能级、Mn2+发光中心会影响热释光强度,证实I-、Br-形成电子陷阱对光生电子和浅陷阱中的电子寿命有延长作用,而Mn2+发光中心会起到缩短寿命的作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韦志仁	河北大学物理科学与技术学院	66	570	13.0	20.0
2	田少华	河北大学物理科学与技术学院	8	66	3.0	8.0
3	葛世艳	河北大学物理科学与技术学院	16	92	6.0	9.0
4	窦军红	河北大学物理科学与技术学院	19	119	6.0	10.0
5	董国义	河北大学物理科学与技术学院	58	363	11.0	16.0
6	林琳	河北大学物理科学与技术学院	22	91	6.0	9.0
7	郑一博	河北大学物理科学与技术学院	10	56	4.0	7.0
8	张蕾		10	3	1.0	1.0