Ⅲ-Ⅴ族化合物HBT建模

• 作者: 刘军 孙玲玲
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: Ⅲ-Ⅴ族 微波HBT 大、小信号 建模
• 年，卷（期）: 2005,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 2175-2181
• 页数: 7页
• 分类号: TN386
• 字数: 3704字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.11.025

摘要

Ⅲ-Ⅴ族化合物HBT微波特性的精确建模对该类器件的微波功率应用极为重要.本文开发了一个可精确用于表征Ⅲ-Ⅴ族化合物HBT直流、大、小信号特性的新模型,并可用于对HBT器件极为重要的自热效应的仿真.模型开发过程中对UCSD HBT模型和VBIC BJT模型进行了借鉴,但新模型不同于以上两个模型.模型通过对比直流、S参数和功率测量结果进行验证.